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英飞凌IGBT厂家 > 英飞凌IGBT > 英飞凌IGBT模块 FF1400R17IP4 1400A 1700V
产品描述

详细参数

制造商: Infineon 

产品种类: IGBT 模块 

集电极发射极最大电压 VCEO: 1700 V 

百盈彩票官网集电极射极饱和电压: 2。2 V 

在25 C的连续集电极电流: 1400 A 

栅极射极漏泄电流: 400 nA 

功率耗散: 9.55 kW 

百盈彩票官网最小工作温度: - 40 C 

最大工作温度: + 150 C 

栅极发射极最大电压: +/- 20 V   

工厂包装数量: 2只


IGBT的退饱和行为的介绍

IGBT的外特性的形状实际上和三极管及MOSFET的外特性是相似的,在 IGBT的线性区,门极电压与短路电流的关系是线性的。 IGBT退饱和行为,其字面的意思是“退出了饱和区”,实际就是“进入线 性区”的另外一种说法。 IGBT的电流如果持续增大,当到达某一个点(退饱和点)时,IGBT的 Vce会发生显著变化,会在非常短的时间内(例如几百纳秒内)上升至 直流母线电压。退饱和行为的标志就是Vcesat上升至直流母线电压。 Vcesat在饱和区内的变化是非常微弱的,如果想利用饱和压降的变化来 辨识IGBT的电流是很困难的,通常我们只辨识IGBT的退饱和行为。


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